Leistungshalbleiter

Welche allgemeine Aufgabenteilung zwischen Silizium-MOSFET und IGBT ist richtig?

  1. AMOSFETs eignen sich für vergleichsweise niedrige Spannungen und schnelles Schalten, IGBTs für hohe Spannungen ab einigen hundert V und große Ströme
  2. BIGBTs eignen sich für niedrige Spannungen und kleine Ströme, MOSFETs für hohe Spannungen und große Ströme
  3. CBeide lassen sich nur für dieselben Anwendungen verwenden
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: A. MOSFETs eignen sich für vergleichsweise niedrige Spannungen und schnelles Schalten, IGBTs für hohe Spannungen ab einigen hundert V und große Ströme

Silizium-MOSFETs arbeiten nur mit Majoritätsladungsträgern und sind daher schnell, doch bei hoher Sperrspannung steigt der Durchlasswiderstand stark, sodass sie etwa bis einige hundert V und besonders in Niederspannungs-Netzteilen eingesetzt werden. IGBTs halten durch Leitfähigkeitsmodulation auch bei hoher Sperrspannung die Durchlassspannung niedrig und eignen sich für Anwendungen mit großen Strömen ab 600 V (Elektrofahrzeuge, industrielle Wechselrichter, Bahnen), sind aber wegen des Tail-Stroms eher langsam. Heute ersetzen SiC-MOSFETs beide zunehmend im Bereich mittlerer bis hoher Sperrspannung.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Leistungshalbleiter

  1. Was ist der Hauptzweck einer Snubber-Schaltung in Schaltschaltungen von Leistungsbauelementen?
  2. Welche Verluste nehmen zu, wenn ein Schalter des Wechselrichters einschaltet und die Diode im gegenüberliegenden Zweig eine Sperrerholung durchläuft?
  3. Welche Aussage zum ZVS (Zero Voltage Switching) als Soft Switching von Leistungswandlern ist richtig?
  4. Warum entsteht beim Laden des Gates eines Leistungs-MOSFET mit konstantem Strom das „Miller-Plateau“, bei dem die Gate-Spannung eine Weile flach bleibt?
  5. Was ist der Hauptgrund dafür, bei der Ansteuerung von SiC-MOSFETs oder IGBTs im Ausschaltzustand mitunter eine negative Spannung (z. B. −3 bis −5 V) an das Gate zu legen?

Vergleiche zu diesem Thema