使非晶化的層再結晶時，殘留在比原非晶層與晶體的交界稍深位置的缺陷，稱為什麼？

正確答案：A. EOR（End of Range）缺陷

在非晶化層正下方的晶體側，聚集了被撞出的過量晶格間矽。即使退火使上方的非晶層再結晶，此處聚集的晶格間矽仍可能形成差排環等缺陷而殘留，稱為EOR（End of Range）缺陷。若落在接面的空乏區，會成為漏電流的原因，因此需藉由佈植與退火的條件來調整非晶層的深度與接面位置的關係。