在離子佈植中，抑制通道效應（離子穿過晶體的空隙而打入過深的現象）的一般方法為下列何者？

正確答案：C. 使晶圓自晶軸傾斜數度後進行佈植

當離子沿著晶體原子的排列方向射入時，會穿過原子列之間的空隙（通道），不易發生碰撞，而打入比預期更深的位置（通道效應）。可藉由將晶圓自晶軸傾斜約7°並錯開旋轉方向來佈植、穿過表面的薄氧化膜（屏蔽氧化層）使方向分散，或事先將表面非晶化來加以抑制。如此可減少分布深側的尾部，得到較淺的接面。