Welches Problem ist beim Bearbeiten von Low-k-Schichten durch Ätzen oder Veraschen zu beachten?

Antwort: B. Durch Plasma erleidet die Schicht Schäden, etwa den Verlust von Kohlenstoff, wodurch die Permittivität steigt

Low-k-Schichten auf SiOC-Basis senken die Permittivität durch den Gehalt an Si-CH3 (Methylgruppen); werden sie jedoch Sauerstoffplasma o. Ä. ausgesetzt, gehen die Methylgruppen verloren und werden zu Si-OH, die Schicht nimmt leicht Feuchtigkeit auf, und die Permittivität kann von 3.0 auf 4 oder mehr steigen. Bei porösen Schichten breitet sich die Schädigung über die Poren bis ins Innere aus. Daher sind schonende Veraschungsbedingungen, etwa auf Wasserstoffbasis, Behandlungen zur Schadensbehebung mit Silylierungsmitteln und Entfeuchtungsbehandlung nach der Bearbeitung nötig.