Interconnectprocessen
Welk probleem verdient aandacht bij het bewerken van Low-k-film met etsen of ashing?
- ADe film wordt veel te hard
- BDoor plasma ontstaat schade, zoals verlies van koolstof uit de film, waardoor de diëlektrische constante stijgt
- CDe film straalt licht uit
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: B. Door plasma ontstaat schade, zoals verlies van koolstof uit de film, waardoor de diëlektrische constante stijgt
Low-k-films op SiOC-basis verlagen hun diëlektrische constante door Si-CH3 (methylgroepen), maar bij blootstelling aan onder meer zuurstofplasma verdwijnen de methylgroepen en wordt Si-OH gevormd, waardoor de film gemakkelijk vocht opneemt en de diëlektrische constante van 3,0 tot meer dan 4 kan stijgen. Bij poreuze films breidt de schade zich via de poriën naar binnen uit. Daarom zijn ashing-omstandigheden met weinig schade, zoals op waterstofbasis, herstelbehandelingen van schade met silyleringsmiddelen en ontwateringsbehandeling na de bewerking nodig.