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Transistors avancés (FinFET et GAA)

Pourquoi les semi-conducteurs composés III-V comme l'InGaAs ont-ils été étudiés comme matériaux de canal des futurs nMOS ?

  1. AParce qu'ils sont moins chers à fabriquer que le silicium
  2. BParce que leur mobilité électronique est bien supérieure à celle du silicium
  3. CParce que leur bande interdite est plus large que celle du silicium et leur fuite plus faible
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Réponse : B. Parce que leur mobilité électronique est bien supérieure à celle du silicium

Les semi-conducteurs composés III-V comme l'InGaAs présentent une mobilité électronique plusieurs fois supérieure à celle du silicium, et l'on espérait faire circuler de forts courants à basse tension. Cependant, les défauts de croissance sur substrat silicium, la difficulté d'obtenir une bonne interface avec le diélectrique de grille, la faible densité d'états limitant la charge réelle, la faible mobilité des trous et le coût n'ont pas permis leur production de masse en logique.

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