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Croissance épitaxiale

Quel est l'objectif principal de l'incorporation par épitaxie de Si:C, silicium additionné d'un peu de carbone, dans les sources/drains des nMOS ?

  1. ARéduire la capacité de grille
  2. BAppliquer une contrainte en compression au canal pour augmenter la mobilité des trous
  3. CAppliquer au canal une contrainte en tension grâce au Si:C de plus petit paramètre de maille, pour augmenter la mobilité des électrons
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Réponse : C. Appliquer au canal une contrainte en tension grâce au Si:C de plus petit paramètre de maille, pour augmenter la mobilité des électrons

L'atome de carbone étant plus petit que celui du silicium, le Si:C contenant 1 à 2 % de carbone a un paramètre de maille inférieur à celui du silicium. Incorporé dans les sources/drains des nMOS, il étire le canal situé entre eux, qui subit une contrainte en tension augmentant la mobilité électronique. Le carbone s'incorpore toutefois difficilement en sites substitutionnels et s'en échappe facilement à haute température, ce qui limite son usage ; les couches épitaxiales de SiP fortement dopées au phosphore dominent aujourd'hui. Les pMOS utilisent à l'inverse le SiGe.

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