エピタキシャル成長

nMOSのソース・ドレインに、シリコンに少量の炭素を加えたSi:Cをエピタキシャル成長させて埋め込む主な目的はどれか。

  1. Aゲート容量を減らす
  2. Bチャネルに圧縮ひずみを加えて正孔の移動度を上げる
  3. C格子定数の小さいSi:Cでチャネルに引っ張りひずみを加え、電子の移動度を上げる
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正解：C. 格子定数の小さいSi:Cでチャネルに引っ張りひずみを加え、電子の移動度を上げる

炭素はシリコンより原子が小さいため、Si:Cの格子定数はシリコンより小さくなります。これをnMOSのソース・ドレインに埋め込むと、チャネルが引っ張られて引っ張りひずみが生じ、電子の移動度が上がります。pMOSでは逆に格子定数の大きいSiGeを埋め込んで圧縮ひずみを加えます。

  • A. ゲート容量を減らす目的ではありません。
  • B. 圧縮ひずみで正孔の移動度を上げるのは、pMOSのSiGeの役割です。
  • C. 正しい。引っ張りひずみで電子の移動度を上げます。
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