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Croissance épitaxiale

Lors de la croissance épitaxiale de silicium sur un substrat comportant des motifs (couches enterrées, etc.), comment appelle-t-on le phénomène par lequel les marches apparaissant en surface sont décalées par rapport au motif sous-jacent ou déformées ?

  1. ADécalage de motif (pattern shift)
  2. BEffet de charge (loading)
  3. CMicroloading
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Réponse : A. Décalage de motif (pattern shift)

En épitaxie, la vitesse de croissance dépendant de l'orientation des plans cristallins, la marche du motif sous-jacent se décale latéralement au cours de la croissance (décalage de motif), se déforme (distorsion de motif) ou disparaît (washout). Comme cela provoque des erreurs d'alignement sur la couche enterrée lors des expositions ultérieures, on le limite en utilisant des plaquettes désorientées de quelques degrés par rapport au plan (100) ou en ajustant la température et la pression de croissance.

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