Croissance épitaxiale

Quel mode de croissance, observé dans les systèmes à désaccord de maille, commence par une croissance couche par couche sur quelques couches atomiques puis passe à une croissance en îlots lorsque la contrainte s'accumule ? Il est aussi utilisé pour fabriquer des boîtes quantiques.

  1. AMode Frank-van der Merwe
  2. BMode Volmer-Weber
  3. CMode Stranski-Krastanov
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : C. Mode Stranski-Krastanov

En mode Stranski-Krastanov (SK), une fine couche de mouillage de 1 à 2 couches atomiques croît d'abord couche par couche ; lorsque l'énergie de contrainte augmente, il devient plus favorable de former des îlots pour relaxer la contrainte, même au prix d'une surface accrue, et la croissance passe en îlots. Des îlots de quelques dizaines de nm de diamètre se forment spontanément de façon homogène et peuvent servir de boîtes quantiques ; les lasers à boîtes quantiques InAs/GaAs sont commercialisés comme sources pour télécommunications optiques robustes en température.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Croissance épitaxiale

  1. Lors de la croissance épitaxiale de silicium sur un substrat comportant des motifs (couches enterrées, etc.), comment appelle-t-on le phénomène par lequel les marches apparaissant en surface sont décalées par rapport au motif sous-jacent ou déformées ?
  2. Quel est l'objectif principal de l'incorporation par épitaxie de Si:C, silicium additionné d'un peu de carbone, dans les sources/drains des nMOS ?
  3. Quelle technique au stade de la recherche fait croître un cristal sur un substrat recouvert d'un matériau 2D comme le graphène, de sorte que la couche crûe puisse être décollée et le substrat réutilisé ?
  4. Dans une structure épitaxiale pour HEMT GaN, quel est l'objectif principal de l'ajout de carbone ou de fer dans la couche tampon GaN sous le canal ?
  5. Lors de la croissance d'un semi-conducteur composé polaire comme le GaAs sur un substrat de silicium non polaire, comment appelle-t-on la frontière entre domaines où l'arrangement Ga/As est inversé ?