Epitaxie

Wie heißt das Phänomen, dass beim epitaktischen Wachstum von Silizium auf einem Substrat mit Strukturen wie einer Buried Layer die Lage der an der Oberfläche erscheinenden Stufen gegenüber der darunterliegenden Struktur verschoben oder die Form verzerrt wird?

  1. APattern Shift (Strukturverschiebung)
  2. BLoading-Effekt
  3. CMikro-Loading
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Antwort: A. Pattern Shift (Strukturverschiebung)

Beim epitaktischen Wachstum ist die Wachstumsrate je nach Kristallebene verschieden; die Position der Stufen der darunterliegenden Struktur verschiebt sich daher mit dem Wachstum seitlich (Pattern Shift), die Form wird verzerrt (Pattern Distortion) oder verschwindet (Washout). Da dies bei der späteren Belichtung beim Ausrichten auf die Lage der Buried Layer Fehler verursacht, wird es durch Wafer mit einigen Grad Neigung von der (100)-Ebene oder durch Anpassung von Wachstumstemperatur und Druck unterdrückt.

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