Quelle technique, développée par Isamu Akasaki, Hiroshi Amano et leurs collaborateurs pour faire croître du GaN de haute qualité sur saphir, consiste à déposer d'abord une fine couche à basse température avant de faire croître le GaN à haute température ?

Réponse : B. La technique de couche tampon basse température

La croissance directe de GaN sur saphir donne des germes clairsemés et un cristal rugueux en colonnes hexagonales. En 1986, Akasaki, Amano et leurs collaborateurs ont réussi à obtenir des germes denses et un cristal plan de haute qualité en déposant d'abord à basse température, environ 500 ℃, une fine couche tampon d'AlN (quelques dizaines de nm), puis en faisant croître le GaN à environ 1000 ℃. Cette technique et la réalisation du GaN de type p ont conduit à la LED bleue ; des couches tampons basse température en GaN lui-même ont ensuite été utilisées.