Welche Technik, von Isamu Akasaki, Hiroshi Amano et al. entwickelt, scheidet zur Züchtung hochwertigen GaNs auf Saphirsubstraten zunächst bei niedriger Temperatur eine dünne Schicht ab und lässt danach bei hoher Temperatur GaN wachsen?

Antwort: B. Niedertemperatur-Pufferschicht-Technik

Wächst GaN direkt auf Saphir, bilden sich die Keime spärlich, und es entstehen raue Kristalle in Form sechseckiger Säulen. Akasaki, Amano et al. schieden 1986 zunächst bei niedriger Temperatur von etwa 500 °C eine dünne (einige zehn nm) AlN-Pufferschicht ab und ließen darauf bei etwa 1000 °C GaN wachsen, wodurch sich dicht Keime bilden und ein ebener, hochwertiger Kristall entsteht. Diese Technik und die Realisierung von p-leitendem GaN führten zur blauen LED; später wurde auch eine Niedertemperatur-Pufferschicht aus GaN selbst verwendet.