DRAM

최근 DRAM의 셀 트랜지스터에서 게이트 전극을 실리콘 기판의 홈 속에 묻는 구조(매립 워드라인)를 사용하는 주된 목적은?

  1. A셀을 발광시키기 위해
  2. B실효 채널 길이를 길게 하여 누설 전류를 억제하면서 셀을 작게 하기 위해
  3. C커패시터를 불필요하게 하기 위해
정답과 해설 보기

정답: B. 실효 채널 길이를 길게 하여 누설 전류를 억제하면서 셀을 작게 하기 위해

DRAM의 셀 트랜지스터에는 커패시터의 전하를 64 ms 이상 유지할 수 있도록 극히 작은 누설 전류(fA 수준)가 요구됩니다. 게이트를 홈에 묻으면 평면상의 치수가 작아도 홈을 따라 채널이 길어져, 단채널 효과에 의한 누설을 억제할 수 있습니다. 매립 워드라인(BCAT)은 2010년경부터 주류가 되었으며, 워드라인과 위쪽 배선 사이의 용량을 줄일 수 있다는 장점도 있습니다.

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