DRAM

Was ist der Hauptzweck der Struktur (Buried Word Line), bei der die Gate-Elektrode bei Zelltransistoren moderner DRAMs in einen Graben im Siliziumsubstrat eingebettet wird?

  1. ADie Zelle zum Leuchten zu bringen
  2. BDie effektive Kanallänge zu vergrößern und so den Leckstrom zu unterdrücken, während die Zelle verkleinert wird
  3. CDen Kondensator überflüssig zu machen
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Antwort: B. Die effektive Kanallänge zu vergrößern und so den Leckstrom zu unterdrücken, während die Zelle verkleinert wird

Der Zelltransistor eines DRAM muss einen äußerst kleinen Leckstrom (im fA-Bereich) aufweisen, damit die Kondensatorladung mindestens 64 ms gehalten wird. Wird das Gate in einen Graben eingebettet, verläuft der Kanal entlang des Grabens länger, auch wenn die Abmessung in der Ebene klein ist, und der Leckstrom durch Kurzkanaleffekte wird unterdrückt. Die Buried Word Line (BCAT) setzt sich seit etwa 2010 durch und hat den Vorteil, die Kapazität zwischen Wortleitung und darüberliegender Verdrahtung zu verringern.

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