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DRAM

Quel est le principe correct de la DRAM 3D, en recherche et développement comme moyen d'augmenter la capacité des futures DRAM ?

  1. AEmpiler verticalement les cellules mémoire pour augmenter la capacité sans dépendre uniquement de la miniaturisation planaire
  2. BAugmenter la capacité simplement en agrandissant la puce
  3. CRemplacer la DRAM par de la SRAM
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Réponse : A. Empiler verticalement les cellules mémoire pour augmenter la capacité sans dépendre uniquement de la miniaturisation planaire

La DRAM approche des limites de l'augmentation du rapport d'aspect des condensateurs et de la miniaturisation des transistors de cellule. La recherche sur la DRAM 3D, qui empile les cellules verticalement comme la 3D NAND, progresse donc ; on étudie des structures empilant de nombreuses couches de transistors et condensateurs couchés horizontalement, ou des cellules sans condensateur. Sa réalisation permettrait d'augmenter la capacité sans dépendre de la miniaturisation planaire, mais les techniques de production en série sont encore en développement.

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