Français
Menu

CMP et nettoyage

Quel rôle joue le peroxyde d'hydrogène dans le SC-1 (mélange ammoniaque-peroxyde d'hydrogène) ?

  1. AColler les particules
  2. BTerminer la surface par de l'hydrogène
  3. COxyder la surface du silicium pour la couvrir d'un oxyde mince, limitant la rugosité due à l'attaque directe du silicium par l'ammoniaque tout en maintenant une légère gravure de la surface
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : C. Oxyder la surface du silicium pour la couvrir d'un oxyde mince, limitant la rugosité due à l'attaque directe du silicium par l'ammoniaque tout en maintenant une légère gravure de la surface

Dans le SC-1, le peroxyde d'hydrogène oxyde la surface du silicium en formant un oxyde mince d'environ 1 nm, que l'ammoniaque dissout lentement. L'oxydation et la gravure progressant simultanément, la surface est très légèrement enlevée et les particules sont soulevées par-dessous et éliminées. Avec trop peu de peroxyde d'hydrogène, l'ammoniaque grave directement le silicium et rend la surface rugueuse ; le rapport des deux et la température sont donc optimisés, et l'on dilue désormais le mélange pour limiter la rugosité.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur CMP et nettoyage

  1. Quelle méthode est couramment utilisée pour compter les particules à la surface d'une plaquette après nettoyage ?
  2. Pourquoi est-il important de transférer la plaquette juste après le CMP vers le nettoyage en la maintenant humide, sans la laisser sécher ?
  3. À quoi faut-il prendre garde avec le nettoyage par lots, où de nombreuses plaquettes sont immergées dans un même bain ?
  4. Quel nettoyage, étudié et industrialisé pour éliminer les particules sans faire s'effondrer les motifs fins, projette de fines particules de dioxyde de carbone, d'argon, etc. à très basse température ?
  5. Dans une tête de polissage de CMP, quel est le principal objectif de pouvoir faire varier la pression appliquée à la plaquette selon plusieurs zones concentriques ?