Pourquoi le CMP des interconnexions en Cu est-il généralement réalisé en plusieurs étapes ?

Réponse : A. Parce que le Cu et la barrière métallique sous-jacente (TaN, etc.) exigent des conditions de polissage différentes : on retire d'abord l'essentiel du Cu, puis la barrière

Pour les interconnexions en Cu, on polit successivement le Cu épais hors des tranchées (quelques centaines de nm à 1 µm), la barrière métallique de quelques nm en dessous (Ta/TaN, etc.), puis l'isolant sous-jacent. Les vitesses de polissage et sélectivités optimales différant selon les matériaux, on distingue une étape d'enlèvement rapide du Cu (retrait de l'essentiel), une étape de polissage soigné du Cu avec arrêt, puis une étape de retrait de la barrière et d'une faible épaisseur d'isolant pour une finition plane, avec des suspensions différentes.