Ionenimplantation

Was wird eingesetzt, um die Aufladung (Charge-up) des Wafers bei der Ionenimplantation zu unterdrücken?

  1. ADen Wafer auf hohe Temperatur zu erhitzen
  2. BDen Strahlstrom zu maximieren
  3. CEine Einrichtung, die Elektronen zuführt und die Ladung neutralisiert (Plasma Flood Gun u. Ä.)
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Antwort: C. Eine Einrichtung, die Elektronen zuführt und die Ladung neutralisiert (Plasma Flood Gun u. Ä.)

Bei fortgesetzter Implantation positiver Ionen laden sich isolierte Gates und Lackoberflächen auf dem Wafer auf; an dünnen Gateoxiden von wenigen nm liegt dann ein hohes Feld an, das sie zerstören oder den Strahl ablenken kann. Daher wird eine Plasma Flood Gun (PFG) verwendet, die aus einem Plasma, z. B. Argon, niederenergetische Elektronen in die Nähe des Wafers liefert und die positive Ladung neutralisiert. Ist die Elektronenenergie zu hoch, lädt sich der Wafer umgekehrt negativ auf, weshalb eine Einstellung nötig ist.

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