Moderne Transistoren (FinFET, GAA)
Welche Aussage zu DIBL (Drain Induced Barrier Lowering) ist richtig?
- APhänomen, bei dem der Gate-Isolator im Laufe der Zeit durchbricht
- BPhänomen, bei dem Metallatome der Leitungen durch Strom wandern
- CPhänomen, bei dem mit höherer Drain-Spannung die Potenzialbarriere auf der Source-Seite sinkt und die Schwellspannung abnimmt
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Antwort: C. Phänomen, bei dem mit höherer Drain-Spannung die Potenzialbarriere auf der Source-Seite sinkt und die Schwellspannung abnimmt
Bei kurzer Gate-Länge reicht das elektrische Feld des Drain bis in die Nähe der Source und senkt die Potenzialbarriere zwischen Source und Kanal. Dadurch sinkt die Schwellspannung mit steigender Drain-Spannung, und der Leckstrom im Sperrzustand nimmt zu. DIBL wird als „Änderung der Schwellspannung pro 1 V Drain-Spannung (mV/V)“ angegeben und bei fortschrittlichen Transistoren auf einige zehn mV/V oder weniger begrenzt. In Verstärkerschaltungen ist es auch eine Ursache für einen verringerten Ausgangswiderstand.