Wie heißt das Maskenverfahren, bei dem zur tiefen Bearbeitung feiner Strukturen von unten eine organische Schicht (Kohlenstofffilm), eine siliziumhaltige Zwischenschicht und der Resist in drei Lagen übereinander verwendet werden?

Antwort: A. Dreischicht-Resist-Prozess (Tri-Layer)

Beim Dreischicht-Resist wird das Muster des dünnen Resists zunächst mit fluorhaltigem Plasma in die siliziumhaltige Zwischenschicht (SiARC usw.) übertragen, und mit dieser als Maske wird die dicke organische Schicht (Spin-on-Carbon) mit sauerstoffhaltigem Plasma geätzt. Siliziumhaltige Schichten werden von Sauerstoffplasma kaum abgetragen und organische Schichten von Fluorplasma kaum; durch das Aneinanderreihen hoher Selektivitäten entsteht auch aus dünnem Resist eine dicke, robuste Maske. Die Zwischenschicht dient zugleich als Antireflexschicht.