미세한 패턴을 깊게 가공하기 위해 아래부터 유기막(탄소막), 실리콘을 포함한 중간막, 레지스트의 3층을 겹쳐 사용하는 마스크 방식을 무엇이라고 부르는가?

정답: A. 삼층 레지스트(트라이레이어) 프로세스

삼층 레지스트에서는 얇은 레지스트의 패턴을 먼저 실리콘을 포함한 중간막(SiARC 등)에 불소계 플라즈마로 옮기고, 그것을 마스크로 두꺼운 유기막(스핀온 카본)을 산소계 플라즈마로 식각합니다. 실리콘을 포함한 막은 산소 플라즈마에 잘 깎이지 않고 유기막은 불소계에서 잘 깎이지 않으므로, 높은 선택비를 차례로 이어서 얇은 레지스트로도 두껍고 튼튼한 마스크를 만들 수 있습니다. 중간막은 반사 방지막도 겸합니다.

• A. 맞습니다. 3층을 겹쳐 패턴을 차례로 옮기는 방식입니다.
• B. 다마신은 홈에 금속을 매립하여 배선을 만드는 방식입니다.
• C. LOCOS는 선택 산화에 의한 소자 분리 방식입니다.