Schichtabscheidung (CVD, PVD)

Wie heißt beim reaktiven Sputtern das Phänomen, dass bei zu hohem Reaktionsgasfluss die Targetoberfläche von einer Verbindung bedeckt wird und die Abscheiderate abrupt sinkt?

  1. ATargetvergiftung (Poisoning)
  2. BBlooming
  3. CStiction
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Antwort: A. Targetvergiftung (Poisoning)

Beim reaktiven Sputtern wird bei steigendem Reaktionsgasanteil die Targetoberfläche selbst mit Nitrid oder Oxid bedeckt. Verbindungen haben eine geringere Sputterausbeute als Metalle, sodass die Abscheiderate abrupt auf einen Bruchteil fällt. Dies ist die Vergiftung (Poisoning); da die Verbindung an der Oberfläche auch bei Verringerung des Gases nicht sofort entfernt wird, zeigt die Abscheiderate über dem Gasfluss eine Hysterese. Gegenmaßnahmen sind z. B. die Gasregelung über die Plasmaemission, um im Übergangsbereich zu stabilisieren.

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