Schichtabscheidung (CVD, PVD)

Welches Problem tritt bei hoher innerer Spannung einer abgeschiedenen Dünnschicht leicht auf?

  1. AWafer-Verbiegung sowie Ablösen oder Rissbildung der Schicht
  2. BNur die Farbe der Schicht ändert sich, ohne besonderes Problem
  3. CDer elektrische Widerstand der Schicht wird null
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Antwort: A. Wafer-Verbiegung sowie Ablösen oder Rissbildung der Schicht

In Dünnschichten verbleiben je nach Abscheidebedingungen (intrinsische Spannung) und Unterschied der thermischen Ausdehnungskoeffizienten zum Substrat (thermische Spannung) Zug- oder Druckspannungen, die einige hundert MPa bis etwa 1 GPa erreichen können. Bei hoher Spannung verbiegt sich der Wafer um einige zehn bis einige hundert µm, wodurch Fokus und Überlagerung bei der Belichtung abweichen, und die Schicht kann sich ablösen oder reißen. Andererseits gibt es die Stressliner-Technik, die die Spannung von Nitridschichten gezielt nutzt, um den Kanal zu verspannen und die Beweglichkeit zu erhöhen.

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