DRAM

在DRAM的單元中,有些單元的資料保持時間會隨時間不規則地反覆變長或變短,這種現象稱為什麼?

  1. AVRT(可變保持時間)
  2. B軟性錯誤
  3. C列錘擊
查看答案與解析

正確答案:A. VRT(可變保持時間)

VRT(Variable Retention Time)是指單元的漏電流因缺陷狀態的變化而切換,使保持時間在兩個以上的值之間不規則地來回變動的現象。即使在出貨測試時保持時間充足,使用中也可能變短,因此只在測試時量測一次,無法找出所有的弱單元。對策是讓更新週期保留餘裕,或以ECC來挽救。

  • A. 正確。是保持時間不規則變動的現象。
  • B. 軟性錯誤是因輻射等使資料暫時翻轉的現象。
  • C. 列錘擊是因頻繁啟動相鄰的列而使資料翻轉的現象。
練習這個領域 前往領域頁面

DRAM的其他題目

  1. 驅動DRAM字元線的電壓使用高於電源電壓的升壓電壓(VPP),其主要理由是下列何者?
  2. 下列何者是一般DRAM的1位元記憶單元的正確結構?
  3. DRAM需要定期執行更新(refresh)動作的原因,下列何者正確?
  4. 關於DRAM讀取動作的特徵,下列何者正確?
  5. 為了確保DRAM單元的電容容量,一直以來使用的立體結構組合,下列何者正確?

這個領域的比較