功率半導體

在比較單極性功率元件材料性能的「巴利加優值(Baliga figure of merit)」中,影響特別大的材料物性值為下列何者?

  1. A晶格常數
  2. B崩潰電場(以3次方影響)
  3. C熱膨脹係數
查看答案與解析

正確答案:B. 崩潰電場(以3次方影響)

巴利加優值使用介電常數ε、遷移率μ、崩潰電場Ec,以 εμEc³ 表示,是相同耐壓下所能實現的漂移層電阻有多小的指標(越大越好)。由於崩潰電場以3次方影響,具有約Si的10倍Ec的SiC與GaN,即使遷移率與Si相同或更低,其優值仍可達Si的數百倍。這也是Ec更大的Ga2O3與鑽石被期待成為次世代材料的原因。

  • A. 晶格常數不包含在巴利加優值中。
  • B. 正確。崩潰電場以3次方影響。
  • C. 熱膨脹係數不包含在巴利加優值中。
練習這個領域 前往領域頁面

功率半導體的其他題目

  1. SiC(碳化矽)相較於Si更適合高耐壓功率元件的主要理由為下列何者?
  2. 關於IGBT的說明,下列何者正確?
  3. GaN HEMT中電流流通的通道,下列何者正確?
  4. 關於矽功率MOSFET中耐壓與導通電阻的關係,下列何者正確?
  5. 功率電子中逆變器的主要作用為下列何者?

這個領域的比較