雙載子電晶體

矽雙極性電晶體的電流增益hFE,一般而言溫度上升時會如何?

  1. A增加
  2. B減少
  3. C不變
查看答案與解析

正確答案:A. 增加

矽電晶體的hFE一般會隨溫度上升而增加,約為每1 ℃增加0.5〜1%。此外VBE會以約−2 mV/℃下降,集極-基極間的漏電流ICBO也約每10 ℃增為2倍。這三者疊加,使溫度上升時集極電流增加,因此要以射極電阻的負回授等方式穩定工作點。反之在低溫時hFE會下降,要注意驅動不足。

練習這個領域 前往領域頁面

雙載子電晶體的其他題目

  1. 要增大共射極放大電路的小訊號輸入電阻(hie),下列條件何者正確?
  2. 在放大電路中,以作為電流源工作的電晶體取代負載電阻,這種主動負載的優點下列何者正確?
  3. 將開關用電晶體從深度飽和狀態關閉時,直到關閉為止需要花時間,其主要理由是哪一個?
  4. 以雙極性電晶體構成的代表性邏輯IC系列是哪一個?
  5. 將雙極性電晶體與CMOS整合在同一晶片的技術及其目的的組合,下列何者正確?

這個領域的比較