在氧化膜蝕刻中，使用C4F8這類碳比例較高的氟碳化物氣體，其理由下列何者正確？

正確答案：B. 因為容易形成聚合物（保護膜），較容易提高對底層與遮罩的選擇比

碳比例高（C/F比高）的氟碳化物氣體，在電漿中容易形成由碳與氟構成的聚合物。在氧化膜上，膜中的氧會去除聚合物，因此蝕刻得以進行；但在矽、氮化膜、光阻上，聚合物會殘留而使蝕刻停止，因此可得到高選擇比。電漿是必要的，目的也不是要讓蝕刻速率變為0。