功率半導體

為了驅動半橋上側(高側)的n通道MOSFET,以二極體與電容產生高於電源電壓之閘極電壓的電路為下列何者?

  1. A自舉電路
  2. B電流鏡電路
  3. C取樣保持電路
查看答案與解析

正確答案:A. 自舉電路

要使高側的nMOSFET導通,需要比源極(輸出端子)高約10 V以上的閘極電壓,但導通時輸出端子會升到電源電壓。在自舉電路中,當下側導通、輸出端子接近接地的期間,經由二極體對電容充電,在使上側導通時,將該電壓疊加到輸出端子的電位上來驅動閘極。雖然便宜又簡單,但無法讓上側長時間持續導通。

  • A. 正確。疊加電容儲存的電壓來驅動高側。
  • B. 電流鏡是產生相同大小電流的電路。
  • C. 取樣保持是暫時保持電壓的電路。
練習這個領域 前往領域頁面

功率半導體的其他題目

  1. 在比較單極性功率元件材料性能的「巴利加優值(Baliga figure of merit)」中,影響特別大的材料物性值為下列何者?
  2. SiC(碳化矽)相較於Si更適合高耐壓功率元件的主要理由為下列何者?
  3. 關於IGBT的說明,下列何者正確?
  4. GaN HEMT中電流流通的通道,下列何者正確?
  5. 關於矽功率MOSFET中耐壓與導通電阻的關係,下列何者正確?

這個領域的比較