반도체 물리

이동도 1000 cm²/V·s인 전자에 100 V/cm의 전계를 가했을 때 드리프트 속도는 얼마인가?

  1. A1×10³ cm/s
  2. B1×10⁵ cm/s
  3. C1×10⁷ cm/s
정답과 해설 보기

정답: B. 1×10⁵ cm/s

드리프트 속도는 v = μE이므로 1000 cm²/V·s × 100 V/cm = 1×10⁵ cm/s입니다. 단위는 cm²/V·s × V/cm = cm/s가 되므로 단위 확인으로 검산할 수 있습니다. 다만 비례하는 것은 약한 전계 범위뿐이며, 실리콘의 전자는 약 10⁴ V/cm를 넘는 부근부터 증가가 둔해져 약 1×10⁷ cm/s에서 포화됩니다(속도 포화). 미세한 MOSFET의 채널은 이러한 강전계 영역에서 동작하고 있습니다.

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