산화와 확산

열산화막이 확산 시 불순물 마스크로 사용될 수 있는 이유로 올바른 것은?

  1. A붕소나 인 등 많은 불순물이 SiO2 내에서는 실리콘 내보다 확산이 느리기 때문
  2. BSiO2가 전기를 잘 통하기 때문
  3. CSiO2가 빛을 통과시키지 않기 때문
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정답: A. 붕소나 인 등 많은 불순물이 SiO2 내에서는 실리콘 내보다 확산이 느리기 때문

붕소, 인, 비소 등 주요 불순물은 SiO2 내 확산이 실리콘 내보다 자릿수가 다를 만큼 느리기 때문에, 충분한 두께(수백 nm 정도)의 산화막이 있으면 아래의 실리콘으로 침투하는 것을 막을 수 있습니다. 이 성질을 이용해 산화막에 창을 낸 부분에만 불순물을 도입하는 플래나 기술이 1959년 페어차일드사에서 확립되어 집적회로의 탄생으로 이어졌습니다. 현재의 이온 주입에서는 주로 레지스트가 마스크입니다.

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