MOSFET
MOSFET의 문턱 전압을 정의할 때 사용되는 '강반전'의 조건으로 일반적인 것은? (φF: 페르미 전위)
- A표면 전위가 −φF가 된다
- B표면 전위가 2φF가 된다(표면의 소수 캐리어 밀도가 기판의 다수 캐리어 밀도와 같아진다)
- C표면 전위가 0이 된다
정답과 해설 보기
정답: B. 표면 전위가 2φF가 된다(표면의 소수 캐리어 밀도가 기판의 다수 캐리어 밀도와 같아진다)
강반전의 시작은 표면 전위가 2φF가 될 때, 즉 표면의 전자 밀도가 기판 내부의 정공 밀도와 같아질 때로 정의되는 것이 일반적입니다. 이때의 게이트 전압이 문턱 전압이며, Vth = VFB + 2φF + √(2εqNA·2φF)/Cox로 표현됩니다. 실제 측정에서는 일정 전류가 되는 게이트 전압(정전류법)이나 ID-VG 곡선의 직선부를 외삽하는 방법으로 Vth를 정하기 때문에, 정의에 따라 값이 조금 다릅니다.
- A. 표면 전위가 음의 방향이면 p형 기판의 표면은 축적 상태가 됩니다.
- B. 올바릅니다. 표면 전위 2φF가 강반전의 기준입니다.
- C. 표면 전위 0은 플랫밴드 상태입니다.