降低MOSFET的臨界電壓時，一般的影響為下列何者？

正確答案：A. 驅動電流增加，但關閉時的漏電流也增加

降低臨界電壓後，即使電源電壓相同，過驅動（VGS − Vth）也會增加而使導通電流增加，但依據次臨界特性，關閉時的漏電流會每約60～80 mV就增加10倍，呈指數函數增長。因此在先進製程中，一般會準備高速用的低Vth（LVT）、標準（SVT）、低漏電用的高Vth（HVT）等，只在需要速度的路徑使用低Vth，也就是採用多Vth設計。