MEMS與感測器

下列關於半導體壓力感測器等所利用的壓阻效應的敘述,何者正確?

  1. A施加機械應力時,材料的電阻率會改變的效應
  2. B照光時會產生電壓的效應
  3. C電流方向受磁場彎曲的效應
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正確答案:A. 施加機械應力時,材料的電阻率會改變的效應

矽受到應力時,晶體的能帶結構會改變,電阻率的變化量比金屬應變計大數十倍(壓阻效應)。在受壓力而變形的薄膜(膜片)邊緣製作4個電阻,並以惠斯登電橋偵測電阻變化,即可將壓力轉換為電訊號。用於汽車引擎與輪胎的壓力、血壓計、氣壓計等,溫度補償是設計的關鍵。

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