MEMS製造中所用的犧牲層蝕刻，其目的下列何者正確？

正確答案：C. 移除結構體下方的層，使可動部與基板分離而懸浮

在犧牲層蝕刻中，先在日後要移除的層（犧牲層，例如SiO2）上製作結構體的薄膜（多晶矽等），最後再以蝕刻選擇性地只移除犧牲層。如此即可做出離基板數µm懸浮的樑或薄膜等可動結構。犧牲層的厚度就是間隙的大小，且一般會在結構上開小孔，讓蝕刻液能夠到達。