離子佈植
在遮罩邊緣附近進行離子佈植時，雜質會朝橫向擴展、進入遮罩下方，其原因下列何者正確？
- A因為晶圓在旋轉
- B因為遮罩會熔化
- C因為被佈植的離子會因與原子的碰撞而朝橫向散射（具有橫向的展寬）
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正確答案：C. 因為被佈植的離子會因與原子的碰撞而朝橫向散射（具有橫向的展寬）
被佈植的離子會在反覆與原子碰撞的過程中停止，因此不僅在深度方向，也會朝橫向擴展，其標準差與深度方向的ΔRp相當（數nm～數十nm）。因此，雜質也會進入遮罩邊緣的下方，影響閘極與源極、汲極的重疊（overlap）及有效通道長度。在微細電晶體中，設計時也會以模擬將這個橫向展寬納入考量。
- A. 不是晶圓旋轉造成的。
- B. 不是遮罩熔化造成的。
- C. 正確。是因碰撞造成橫向散射而擴展。