離子佈植 用於抑制離子佈植中晶圓帶電（充電效應）的是下列何者？ A將晶圓加熱至高溫 B將束電流調至最大 C供給電子以中和電荷的裝置（電漿氾濫槍等） 查看答案與解析 正確答案：C. 供給電子以中和電荷的裝置（電漿氾濫槍等） 持續佈植正離子時，晶圓上絕緣的閘極與光阻表面會帶電，可能對僅數nm的薄閘極氧化膜施加高電場而使其破壞，或使離子束偏折。因此會使用電漿氾濫槍（PFG），從氬等電漿向晶圓附近供給低能量電子，中和正電荷。若電子的能量過高，反而會帶負電，因此需要調整。