蝕刻
關於蝕刻中的「選擇比」,下列說明何者正確?
- A蝕刻前後的膜厚之比
- B晶圓中心與邊緣的蝕刻速率之比
- C欲蝕刻的膜與遮罩或底層膜的蝕刻速率之比
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正確答案:C. 欲蝕刻的膜與遮罩或底層膜的蝕刻速率之比
選擇比是想要蝕除的膜之蝕刻速率,與不想蝕除的膜(遮罩或底層)之蝕刻速率的比值。例如在閘極蝕刻中,為了保留厚度僅數nm的閘極絕緣膜,有時會要求對底層達到100以上的選擇比。選擇比越高,遮罩就可以越薄,底層也不會受損。晶圓面內的速率變異則稱為「均勻性」。
蝕刻
正確答案:C. 欲蝕刻的膜與遮罩或底層膜的蝕刻速率之比
選擇比是想要蝕除的膜之蝕刻速率,與不想蝕除的膜(遮罩或底層)之蝕刻速率的比值。例如在閘極蝕刻中,為了保留厚度僅數nm的閘極絕緣膜,有時會要求對底層達到100以上的選擇比。選擇比越高,遮罩就可以越薄,底層也不會受損。晶圓面內的速率變異則稱為「均勻性」。