차세대 메모리
MRAM이 마이컴 등의 내장 비휘발성 메모리로 주목받는 이유의 하나로 올바른 것은 무엇입니까?
- A첨단 로직 공정에서는 내장 플래시의 제조가 어려워지고, 배선 공정에서 만들 수 있는 MRAM이 대체 후보가 되기 때문
- BDRAM보다 대용량이고 저렴하기 때문
- C전원을 끄면 데이터가 사라지기 때문
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정답: A. 첨단 로직 공정에서는 내장 플래시의 제조가 어려워지고, 배선 공정에서 만들 수 있는 MRAM이 대체 후보가 되기 때문
내장 플래시는 플로팅 게이트 형성 등으로 마스크를 10장 이상 추가해야 하며, 28 nm 전후보다 앞선 세대나 High-k/메탈 게이트와의 조합에서는 구현이 어려워지고 있습니다. MRAM은 배선 공정 중간에 MTJ를 만들어 넣을 수 있고 추가 마스크도 몇 장이면 되므로, TSMC나 삼성전자 등의 파운드리가 22 nm 이하에서 내장 MRAM을 제공하고 있습니다. 차량용 마이컴 등에서 채택이 늘고 있습니다.