차세대 메모리

ReRAM에서 처음에 비교적 높은 전압을 인가하여 전도성 필라멘트를 만드는 초기화 공정을 무엇이라고 합니까?

  1. A도핑
  2. B포밍
  3. C어닐링
정답과 해설 보기

정답: B. 포밍

대부분의 ReRAM은 제조 직후에는 고저항이며, 처음에 통상 동작보다 높은 전압을 인가하여 산소 결손 등의 전도 경로를 만들 필요가 있습니다. 이것이 포밍입니다. 그 후에는 만들어진 필라멘트 끝의 가는 부분만 끊거나 연결하므로 더 낮은 전압으로 고저항과 저저항을 전환할 수 있습니다. 포밍 전압이 높으면 주변 회로에 부담이 되므로, 포밍이 필요 없는 재료와 구조도 연구되고 있습니다.

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