차세대 메모리

MRAM의 자기터널접합(MTJ)에서 터널 장벽층으로 널리 사용되며 큰 터널 자기저항비를 얻을 수 있는 재료는 무엇입니까?

  1. A산화마그네슘(MgO)
  2. B구리
  3. C다결정 실리콘
정답과 해설 보기

정답: A. 산화마그네슘(MgO)

결정성 MgO를 터널 장벽에 사용하면 특정 대칭성을 가진 스핀의 전자만 선택적으로 터널링하므로, 상온에서 수백 %에 이르는 큰 TMR비를 얻을 수 있습니다(종래의 비정질 Al2O3에서는 수십 %). 2004년에 일본의 산업기술종합연구소(AIST)와 IBM이 각각 발표한 이 기술로 0과 1의 저항 차이가 커져 HDD의 읽기 헤드가 대용량화되었고, MRAM의 실용화로도 이어졌습니다.

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