차량용 반도체와 기능 안전
전동차의 전력 변환에서 IGBT·SiC MOSFET·GaN HEMT를 구분하여 사용하는 사고방식으로 가장 적절한 것은?
- AGaN HEMT는 어떤 전압에서도 가장 우수하므로, 1200 V급 구동 인버터를 포함해 모두 GaN으로 대체하는 것이 일반적이다
- BIGBT는 스위칭이 가장 빠르므로, MHz급의 높은 주파수로 동작하는 소형 DC-DC 컨버터에 가장 적합하다
- C고전압·대전류의 구동 인버터에는 Si IGBT나 SiC MOSFET이 사용되고, 높은 주파수로 소형화하고 싶은 차량용 충전기나 DC-DC 컨버터에서는 GaN의 채용도 진행되고 있다
정답과 해설 보기
정답: C. 고전압·대전류의 구동 인버터에는 Si IGBT나 SiC MOSFET이 사용되고, 높은 주파수로 소형화하고 싶은 차량용 충전기나 DC-DC 컨버터에서는 GaN의 채용도 진행되고 있다
IGBT는 고전압·대전류에 저렴하지만, 턴오프 시의 테일 전류 때문에 높은 주파수에는 적합하지 않습니다. SiC MOSFET은 1200 V급에서도 손실이 작아 800 V 계통의 구동 인버터 등에서 채용이 확대되고 있습니다. GaN HEMT는 650 V급 이하에서 특히 고속 스위칭에 강하며, 주파수를 높여 부품을 소형화하고 싶은 차량용 충전기나 DC-DC 컨버터에서 사용되기 시작했습니다. 재료의 성질과 비용을 비교하여 용도별로 선택하는 것이 중요합니다.