Semi-conducteurs automobiles et sécurité fonctionnelle
Dans la conversion de puissance des véhicules électrifiés, quelle approche du choix entre IGBT, MOSFET SiC et HEMT GaN est la plus appropriée ?
- ALe HEMT GaN étant le meilleur quelle que soit la tension, il est courant de tout remplacer par du GaN, y compris les onduleurs de traction de classe 1200 V
- BL'IGBT ayant la commutation la plus rapide, c'est lui qui convient le mieux aux petits convertisseurs DC-DC fonctionnant à des fréquences élevées de l'ordre du MHz
- CLes onduleurs de traction haute tension et fort courant utilisent des IGBT Si ou des MOSFET SiC, tandis que l'adoption du GaN progresse dans les chargeurs embarqués et convertisseurs DC-DC que l'on veut miniaturiser en montant en fréquence
Afficher la réponse et l'explication
Réponse : C. Les onduleurs de traction haute tension et fort courant utilisent des IGBT Si ou des MOSFET SiC, tandis que l'adoption du GaN progresse dans les chargeurs embarqués et convertisseurs DC-DC que l'on veut miniaturiser en montant en fréquence
L'IGBT supporte une haute tension et un fort courant pour un coût faible, mais son courant de traîne au blocage le rend peu adapté aux hautes fréquences. Le MOSFET SiC présente de faibles pertes même en classe 1200 V, et son adoption s'étend, notamment dans les onduleurs de traction des systèmes 800 V. Le HEMT GaN excelle dans la commutation particulièrement rapide en classe 650 V et en dessous, et commence à être utilisé dans les chargeurs embarqués et convertisseurs DC-DC où l'on veut monter en fréquence pour miniaturiser les composants. Il est important de choisir selon l'application en comparant les propriétés des matériaux et les coûts.
Continuer : 9 autres questions sur Semi-conducteurs automobiles et sécurité fonctionnelle