NAND 플래시와 NOR 플래시의 차이와 용도
둘 다 비휘발성 플래시 메모리지만 배선 방식이 다릅니다. NOR 플래시는 셀을 병렬로 연결해 빠른 랜덤 읽기와 코드 직접 실행이 가능하지만 비트당 가격이 비쌉니다. NAND 플래시는 셀을 직렬로 연결해 같은 면적에 훨씬 많은 비트를 담을 수 있고 저렴하지만, 페이지 단위로 읽고 쓰며 오류 정정이 필요합니다. 그래서 NAND는 데이터를, NOR는 펌웨어를 저장합니다.
| 비교 항목 | NAND 플래시 | NOR 플래시 |
|---|---|---|
| 셀 연결 | 셀이 스트링 형태로 직렬 연결되며 양 끝에 선택 트랜지스터가 있습니다 | 셀이 비트 라인에 병렬로 연결되어 각 셀에 직접 접근할 수 있습니다 |
| 읽기 접근 | 페이지 단위(한 번에 수 KB)로 읽습니다. 첫 접근에 수십 마이크로초가 걸려 랜덤 읽기는 느립니다 | 바이트 또는 워드 단위의 빠른 랜덤 접근이 가능하며 수십 나노초 수준입니다 |
| 쓰기(프로그램) | 한 번에 한 페이지씩 프로그램하며 순차 쓰기 처리량이 높습니다 | 작은 단위로 프로그램하며 대용량 데이터에는 더 느립니다 |
| 소거 단위 | 블록(수 MB 이상) | 섹터(보통 64~128 KB) |
| 프로그램 방식 | 프로그램과 소거 모두 파울러-노르트하임 터널링 | 프로그램은 채널 핫 일렉트론 주입, 소거는 터널링 |
| 집적도와 비트당 비용 | 집적도가 높고 비용이 낮습니다. 3D NAND는 수백 층을 쌓고, TLC/QLC는 셀당 3~4비트를 저장합니다 | 집적도가 낮고(보통 칩당 최대 수 기가비트) 비트당 비용이 높습니다 |
| 제자리 실행(XIP) | 불가능합니다. 코드를 먼저 RAM으로 복사해야 합니다 | 가능합니다. 프로세서가 칩에서 직접 코드를 실행할 수 있습니다 |
| 신뢰성 | 불량 블록과 비트 오류가 정상적으로 발생하므로 강력한 ECC, 불량 블록 관리, 웨어 레벨링이 필요합니다 | 비트 오류가 적어 가벼운 오류 정정만으로 충분합니다 |
| 내구성 | 약 100,000회(SLC)에서 약 1,000회 이하(QLC)까지의 프로그램/소거 사이클 | 보통 약 100,000회의 프로그램/소거 사이클 |
| 대표 용도 | SSD, USB 드라이브, 메모리 카드, 스마트폰 스토리지(eMMC, UFS) | 부트 코드와 펌웨어: BIOS/UEFI 칩, 마이크로컨트롤러 코드, 차량·산업용 기기 |
수치는 대략적인 자릿수 기준이며, 공정 세대와 제품에 따라 달라져요.