SRAM과 플래시 메모리
SRAM 셀의 안정성을 나타내는 정적 잡음 여유(SNM)에 대한 설명으로 올바른 것은?
- A셀이 유지 상태를 반전시키지 않고 견딜 수 있는 잡음 전압의 크기로, 나비 곡선에서 구한다
- B셀의 소비 전류
- C셀의 읽기에 걸리는 시간
정답과 해설 보기
정답: A. 셀이 유지 상태를 반전시키지 않고 견딜 수 있는 잡음 전압의 크기로, 나비 곡선에서 구한다
SNM은 셀의 2개 인버터의 입출력 특성을 겹친 나비 곡선(버터플라이 커브)의 안쪽에 들어가는 최대 정사각형의 한 변으로 나타내며, 클수록 잡음에 강한 셀입니다. 유지 시(홀드 SNM)보다 액세스 트랜지스터가 켜지는 읽기 시(리드 SNM) 쪽이 작으며, 이것이 안정성의 제약이 됩니다. 전원 전압을 낮추거나 편차가 커지면 작아지기 때문에 저전압 설계의 지표로 사용됩니다.
- A. 올바릅니다. 나비 곡선에서 구하는 잡음 여유입니다.
- B. 소비 전류는 SNM과는 별개의 특성입니다.
- C. 읽기 시간은 액세스 시간이며 SNM이 아닙니다.