パワー半導体

ハーフブリッジの上側(ハイサイド)のnチャネルMOSFETを駆動するために、ダイオードとコンデンサで電源電圧より高いゲート電圧をつくる回路はどれか。

  1. Aブートストラップ回路
  2. Bカレントミラー回路
  3. Cサンプルホールド回路
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正解：A. ブートストラップ回路

ハイサイドのnMOSFETをオンにするには、ソース(出力端子)の電位よりゲート電圧を高くする必要があります。ブートストラップ回路では、下側がオンの間にコンデンサを充電し、上側をオンにするときにその電圧を出力端子の電位に上乗せしてゲートを駆動します。

  • A. 正しい。コンデンサに蓄えた電圧を上乗せしてハイサイドを駆動します。
  • B. カレントミラーは同じ大きさの電流をつくる回路です。
  • C. サンプルホールドは電圧を一時的に保持する回路です。
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