하프 브리지의 상측(하이사이드) n채널 MOSFET을 구동하기 위해, 다이오드와 커패시터로 전원 전압보다 높은 게이트 전압을 만드는 회로는 무엇입니까?

정답: A. 부트스트랩 회로

하이사이드 nMOSFET을 온 하려면 소스(출력 단자)보다 약 10 V 이상 높은 게이트 전압이 필요하지만, 온 시에는 출력 단자가 전원 전압까지 올라갑니다. 부트스트랩 회로에서는 하측이 온이라 출력 단자가 접지에 가까운 동안 다이오드를 거쳐 커패시터를 충전하고, 상측을 온 할 때 그 전압을 출력 단자의 전위에 얹어 게이트를 구동합니다. 저렴하고 간단하지만 상측을 장시간 온 상태로 유지할 수는 없습니다.

• A. 옳습니다. 커패시터에 저장한 전압을 얹어 하이사이드를 구동합니다.
• B. 커런트 미러는 같은 크기의 전류를 만드는 회로입니다.
• C. 샘플 홀드는 전압을 일시적으로 유지하는 회로입니다.