전력 반도체
인버터에서 한쪽 스위치가 온 될 때, 반대쪽 암의 다이오드의 역회복으로 인해 늘어나는 손실로 올바른 것은 무엇입니까?
- A온 한 스위치의 턴온 손실(역회복 전류가 더해진다)
- B게이트 구동 회로의 손실뿐
- C히트싱크의 손실
정답과 해설 보기
정답: A. 온 한 스위치의 턴온 손실(역회복 전류가 더해진다)
환류하던 다이오드가 역바이어스로 전환되면 축적된 캐리어에 의한 역회복 전류가 흐릅니다. 이 전류는 온 하려는 스위치를 통과하므로 턴온 시의 전류 피크와 손실이 늘어나고, 다이오드 쪽에도 역회복 손실이 발생합니다. 전압이 높고 전류가 클수록 영향이 크므로, 역회복이 작은 SiC 쇼트키 다이오드로 교체하면 스위치의 턴온 손실을 크게 줄일 수 있습니다.
- A. 옳습니다. 역회복 전류가 스위치의 턴온 손실에 더해집니다.
- B. 게이트 구동 회로의 손실은 역회복에 의한 증가의 주된 부분이 아닙니다.
- C. 히트싱크는 손실을 만드는 부품이 아닙니다.