전력 반도체

SiC나 GaN 파워 디바이스를 고속으로 스위칭할 때 특히 대책이 중요해지는 문제는 무엇입니까?

  1. A전압이나 전류의 급격한 변화에 따른 노이즈(EMI)와 서지 전압
  2. B디바이스가 발광해 버리는 것
  3. C스위칭이 너무 느려지는 것
정답과 해설 보기

정답: A. 전압이나 전류의 급격한 변화에 따른 노이즈(EMI)와 서지 전압

SiC와 GaN은 수십 V/ns~100 V/ns에 이르는 급격한 전압 변화(dv/dt)와 전류 변화(di/dt)로 스위칭하므로, 배선의 기생 인덕턴스에 의한 서지 전압이나 기생 용량을 통과하는 전류에 의한 전자 노이즈(EMI)가 커지기 쉽습니다. 배선을 짧고 굵게 해 기생 인덕턴스를 줄이거나, 게이트 저항으로 속도를 조절하거나, 스너버와 필터를 추가하는 등의 대책이 필요합니다.

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