반도체 물리

실온(300 K)에서 열전압 kT/q의 값에 가장 가까운 것은?

  1. A약 26 mV
  2. B약 0.26 mV
  3. C약 2.6 V
정답과 해설 보기

정답: A. 약 26 mV

k ≈ 1.38×10⁻²³ J/K, T = 300 K, q ≈ 1.6×10⁻¹⁹ C에서 kT/q ≈ 0.0259 V(약 26 mV)입니다. 다이오드 전류 I ∝ exp(qV/kT)이므로 전류를 10배로 하려면 약 60 mV(26 mV × ln10)의 전압이 필요합니다. 이는 MOSFET의 서브스레숄드 계수의 이론 한계(실온에서 약 60 mV/decade)로도 이어지며, 전원 전압을 낮추기 어려운 근본적인 이유가 되고 있습니다.

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